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摘要
鉴于太赫兹波在天文学、物理学、生物学、材料科学、信息通信、国家安全和军事等诸多领域的广泛应用,而太赫兹辐射源是所有实际应用的基础。而现在仍然缺乏低造价、便携式、具备足够输出功率的THz源。在此背景下,我们以新型材料GaN为基础,对IMPATT二极管进行了深入的研究,设计了几种GaN基IMPATT二极管结构并进行了详细的仿真分析,研究了不同工作温度条件和引入异质结构对器件性能的影响。主要得研究成果如下: 1、研究了IMPATT二极管工作机理并建立仿真模型。对GaN基的IMPATT二极管的工作机理进行了分析,从器件中载流子的雪崩、渡越漂移特性,结合载流子的漂移-扩散模型,用器件仿真器ATL...
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