AlxGa1-xAs材料结构与物理特性的第一性原理研究

作者：宋娟; 丁召; 张振东; 郭祥; 魏节敏; 王继红; 罗子江; 王一^*

来源：人工晶体学报, 2020, 49(05): 824-832.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2020.05.006

• 第一性原理
• 晶格常数
• 电子结构
• 光学性质
• 热力学性质

基于密度泛函理论,对Al组分由0～1变化时AlxGa1-xAs体系的晶体结构、差分电荷密度、光电性质以及热力学性质进行第一性原理计算。得到AlxGa1-xAs体系的晶格常数a与Al组分x之间呈线性增加关系。能带结构图显示其禁带宽度将随掺入Al组分x的增加而变大,并且当x≥0.5时,体系能带由直接带隙变为间接带隙。静介电系数ε1(0)随掺入Al组分增加而减小,吸收系数带边随x增大而发生蓝移现象。由材料体系的德拜温度随Al组分的变化情况可知,Al组分增加,体系的声速和弹性劲度常数也相应地增大,高温时比热容的非线性增大是单位质量内AlxGa1-xAs的原胞数非线性增加所导致。通过分析不同Al组分下AlxGa1-xAs体系的光电特征、热力学性质,从而为AlxGa1-xAs在光电子器件以及太阳能电池等方面的应用以及后续的深入研究打下理论基础。

• 单位
  贵州大学; 贵州财经大学