为保证差模干扰抑制器的温度稳定性以及在35mA大直流偏置下器件具有较高的偏置电感量和阻抗值,要制备出高阻高Bs的NiCuZn铁氧体材料。为此通过改变主成分配方中ZnO及Fe2O3的百分含量,掺入适量Co2O3,制备出起始磁导率μi为770,饱和磁感应强度Bs为388mT,居里温度Tc≥190℃,电阻率≥1×108Ω·㎝的NiCuZn铁氧体材料。
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