以工控机与数字量输入输出板卡为基础，设计原子层沉积设备控制系统。采用工控机串行通信端口实现真空计、流量计、温度计等数据采集与控制。在N型单晶硅基底表面氧化铝薄膜生长测试中，生长300周期氧化铝薄膜平均厚度为33.84 nm，非均匀性为0.36%，生长速率1.13■/cycle，达到氧化铝工艺标准。实验结果表明设备运行稳定可靠，满足实际工艺需要。
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