CVD法制备Sb掺杂SnO_2薄膜的结构与性能研究

作者：谢莲革; 沃银花; 汪建勋; 沈鸽; 翁文剑; 刘起英; 韩高荣

来源：浙江大学学报(工学版), 2005, (11): 1824-1828.

• 化学气相沉积(CVD)
• Sb掺杂SnO2薄膜
• 掺杂量 chemical vapor deposition(CVD)
• Sb-doped SnO_2 film
• dopant amount

采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温度为665℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜,XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在.讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响,结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势.最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性,认为Sb5+离子的...