N掺杂对Y2O3薄膜界面特性的影响

作者：陈元安

来源：商丘职业技术学院学报, 2021, 20(02): 83-86.

• N掺杂
• Y2O3薄膜
• 射频反应磁控溅射
• 光学特性

采用射频反应磁控溅射法制备了N掺杂Y2O3栅介质薄膜,并研究了N掺杂对Y2O3薄膜界面特性的影响.研究结果表明:N原子在YOxNy薄膜中以N-O键和N≡O3键两种结合态存在.在热处理过程中,N-O键是稳定的,而N≡O3键不稳定;N-O键的生成能够阻止退火气氛中的氧原子在Y2O3薄膜中的扩散,从而有效抑制了界面层SiO2的生长.

• 单位
  商丘职业技术学院