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摘要
本发明涉及一种结终端扩展终端结构的制备方法及结构,该方法包括：选取SiC衬底层；在所述SiC衬底层表面生长外延层；利用离子注入工艺在所述外延层上形成结终端扩展区；利用离子注入工艺在所述外延层上形成有源区；在所述外延层表面生长绝缘钝化层以完成所述结终端扩展终端结构的制备。本发明通过线性变化的边缘电荷分布消除传统碳化硅结终端扩展边缘处的单点锋锐电场峰并降低峰值电场值,缓解结边缘的电场集中效应,从而降低器件由于单点高电场诱发额外漏电和提前击穿的风险,提高结终端扩展结构在反向耐压时的可靠性。
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