基底温度对电子束蒸发制备氧化铝薄膜的影响

作者：王松林; 杨崇民; 张建付; **龙; 黎明; 米高园; 王慧娜

来源：应用光学, 2013, (05): 764-767.

• 离子辅助电子束蒸发
• 薄膜光学常数
• 基底温度
• 氧化铝薄膜 ion-assisted electron beam evaporation
• optical constants of thin films
• substrate temperature
• alumina thin films

为了考察基底温度对氧化铝薄膜折射率以及沉积厚度的影响情况,在不同基底温度环境下,通过离子辅助电子束蒸发方式,在玻璃基底上制备了同一Tooling因子条件下所监测到相同厚度的Al2O3薄膜,利用分光光度计测量光谱透过率,依据光学薄膜相关理论,计算了基底温度在25℃~300℃范围内获得的膜层实际物理厚度为275.611nm~348.447nm,以及膜层折射率的变化。通过对实验结果的数值计算和曲线模拟,给出了基底温度对于薄膜的折射率和实际厚度的影响情况。

• 单位
  西安应用光学研究所