n型AlGaN层调制掺杂的高效紫外发光二极管及制备方法

作者：周小伟; 王燕丽; 吴金星; 张心禹; 李培咸; 许晟瑞; 孟锡俊; 马晓华; 郝跃

来源：2018-11-09, 中国, ZL201811328759.7.

本发明公开了一种AlGaN层调制掺杂的高效紫外发光二极管及其制备方法,主要解决现有紫外发光二极管电流拥堵的问题。其自下而上包括：磁控溅射AlN的c面蓝宝石衬底层(1)、u型AlxGa1-xN层(2)、n型AlxGa1-xN层(3)、InyGa1-yN/AlzGa1-zN多量子阱层(4)、p型GaN层(5)和电极(6),其中n型AlxGa1-xN层(3)采用由AlxGa1-xN层和GaN层按照10-60的周期交替生长的n-AlxGa1-xN层和u-GaN层组成的调制掺杂结构。本发明提高了器件的电导率,缓解了电流拥堵效应,从而提高了器件的发光效率,可用于紫外和深紫外发光设备中。

• 单位
  西安电子科技大学