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摘要
为了提高透射式GaAs光电阴极性能，将国内与美国ITT公司的透射式GaAs光电阴极量子效率曲线进行对比，可知我国透射式光电阴极积分灵敏度已经达到2130μA/lm美国ITT达到了2330μA/lm。利用修正后的量子效率，光学性能以及积分灵敏度的理论模型，分别对两者进行光学结构拟合。结果表明，国内光电阴极在窗口层和发射层的厚度、电子扩散长度以及后界面复合速率等方面具与ITT有一定差距。为了缩短两者的差距，优化阴极结构参数，具体研究了电子扩散长度和发射层厚度对量子效率的影响，结果表明如果均匀掺杂透射式GaAs光电阴极发射层厚度为1.5μm，电子扩散长度为7μm，则积分灵敏度可以达到2800μA/lm以上。
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