Ge-Ⅲ亚稳相光学性质的第一性原理研究

作者：翟进辉; 于栋利

来源：燕山大学学报, 2012, (03): 224-229.

• 第一性原理计算
• Ge-Ⅲ相
• 光学性质 first principles calculation
• Ge-Ⅲ phase
• optical properties

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Ge-Ⅲ亚稳相的电子结构和光学性质。Ge-Ⅲ相晶体是一种直接带隙半导体(带隙为0.46 eV)。对光学函数的计算表明,Ge-Ⅲ相晶体是一种具有高介电常数和高折射率的晶体。其静介电常数ε1(0)和静态折射率n(0)分别为33.9和5.82,大于相应的Ge-Ⅰ相晶体的值(16和4.0)。光子能量在2.38~14.9 eV(等离子体能量Ep)范围内,ε1(ω)<0,整个晶体显示金属性;在高频透明区(能量大于Ep),ε1(ω)>0,显示介电性。从光吸收谱上看,Ge-Ⅲ相晶体的主要光吸收区位于整个可见光及部分紫外光谱区,在能量为4.51eV处达到最大值2.77×...

• 单位
  亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室; 材料科学与工程学院; 燕山大学