金属氧化物半导体TFT器件的膜层均一性研究

作者：朱晖

来源：电子世界, 2021, (07): 89-91.

DOI：10.19353/j.cnki.dzsj.2021.07.040

<正>金属氧化物薄膜晶体管(TFT)具有较好的光电特性,在新型显示器件中应用前景广泛。本论文重点针对金属氧化物TFT器件的IWZO膜层的成膜均一性进行了研究。从磁场、成膜功率、O2分压等工艺参数角度出发,研究了IWZO膜层均一性与成膜工艺参数的关系,并探讨了改善膜层均一性的具体工艺参数和方法。