持续高功率磁控溅射技术高速制备挠性覆铜板Cu膜

作者：刘亮亮; 周林; 唐伟; 崔岁寒; 佘自力; 吴忠振

来源：真空与低温, 2020, 26(05): 369-376.

DOI：10.3969/j.issn.1006-7086.2020.05.003

• 持续高功率磁控溅射
• 挠性覆铜板
• 致密铜膜
• 结合强度

挠性覆铜板(FCCL)是电子信息领域的基础材料,随着电子产品高集成化、高密度化、高频化的发展,对具有低介电损耗特点的聚酰亚胺/铜(PI/Cu)双层覆铜板的需求越来越大。目前高端FCCL的生产中存在膜基结合力差、Cu致密度低、环境污染等问题。本文提出利用兼具高离化率、高沉积速率特点的持续高功率磁控溅射技术(C-HPMS),通过多步离子能量控制在PI表面实现了真空环境下的Cu膜制备,研究了溅射功率密度、沉积温度和基底偏压对Cu膜沉积速率、致密度、膜基结合力等性能的影响,发现用C-HPMS制备Cu膜,沉积速率可以高达1.72μm/min;Cu膜与PI结合牢固,刻蚀后通过胶带测试,结合力均在0.76～0.87 N/mm之间;与压延Cu膜、电镀Cu膜的结构对比,膜层致密,晶粒尺寸均在20 nm左右;电阻率低,2μm厚度时低至4.3×10-8Ω·m,优于电镀法和压延法制备的厚度8μm的Cu膜。

• 单位
  北京大学深圳研究生院; 材料学院