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摘要
本发明公开了一种基于沟道电导增强的场效应开关器件,主要解决现有氮化镓基功率晶体管的电流崩塌和低击穿电压问题。其自下而上包括：衬底、过渡层、沟道层和势垒层,该势垒层上部依次为渐变掺杂结构的P型块、栅极,P型块左侧为由m个平行回型调制岛构成的渐变掺杂调制岛阵列,每个调制岛中设有方形槽,这些方形槽构成窗口；各调制岛左侧均设有y个凹槽,各凹槽中设有倒L型金属条,各金属条上侧位于调制岛或窗口的上部,各调制岛所对应的y个金属条中至少有一个金属条的水平部分设有凸起连接到方形槽内的势垒层,所有金属条构成岛金属,岛金属左侧为漏极,P型块右侧为源极。本发明能抑制电流崩塌,提升击穿电压,可用作电力电子系统。
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