28 nm PMOS器件中Ge注入对NBTI可靠性的影响

作者：万雨石; 龙世兵; 蔡巧明; 杨列勇

来源：微电子学, 2019, 49(03): 413-417.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180334

• 负偏压温度不稳定性
• 量子阱器件
• 器件可靠性

研究了28 nm多晶硅栅工艺中Ge注入对PMOS器件的负偏压温度不稳定性(NBTI)的影响。在N阱中注入Ge,制作了具有SiGe沟道的PMOS量子阱器件。针对不同栅氧厚度和不同应力条件的器件,采用动态测量方法测量了NBTI的退化情况,采用电荷泵方法测量了界面态的变化情况。实验结果表明,由于Ge的注入,PMOS器件中饱和漏电流的退化量降低了43%,同时应力过程中产生的界面态得到减少,有效提高了PMOS器件的NBTI可靠性。

• 单位
  中国科学院大学; 中芯国际集成电路制造有限公司