一种重掺衬底上生长硅外延层的工艺研究

作者：傅颖洁; 李明达

来源：天津科技, 2020, 47(04): 53-58.

DOI：10.14099/j.cnki.tjkj.2020.04.017

• 肖特基二极管
• 一致性
• 硅外延层
• 过渡区

随着肖特基势垒二极管对反向击穿电压一致性指标要求的进一步严格,对所需重掺衬底的硅外延层厚度和电阻率参数的均匀性指标提出了更高的要求。同时,为满足肖特基势垒二极管低正向压降的性能,对外延层过渡区宽度的控制难度加大。使用PE-2061S桶式外延炉,通过综合采取低温本征法、变流吹扫及低速外延沉积等工艺手段,成功实施了重掺衬底上窄过渡区硅外延层的生长工艺,硅外延层厚度和电阻率不均匀性均达到<1.5%的要求,而且过渡区宽度可以<1.6μm。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十六研究所