硼掺杂和磷掺杂对硅衬底的变温荧光光谱特性的影响

作者：王龙龙; 周文广; 张连水; 李晓莉; 周川; 史亚芳

来源：河北大学学报(自然科学版), 2018, 38(04): 362-367.

• 硅衬底
• 掺杂
• 变温
• 荧光光谱

在Si(110)衬底上通过原位掺杂的方法可得到磷掺杂和硼掺杂硅片.测量了本征、磷掺杂和硼掺杂硅片的变温荧光光谱,研究了不同温度时杂质对硅片性质的影响.本征硅片的荧光发射光谱中只存在1个特征峰,进行掺杂后,由于能级发生分裂,在主峰左侧分裂出杂质峰.2种情况下均表现为杂质峰的波长随温度升高逐渐增加,而主峰的波长随温度升高逐渐减小.随着温度升高到135K,杂质峰消失并逐渐并入到主峰中,而且它们的主峰波长在275K时都与本征硅片的特征峰波长趋于一致.

• 单位
  半导体超晶格国家重点实验室; 中国科学院半导体研究所