通过60Co γ射线辐照试验，研究了22 nm工艺体硅nFinFET的总剂量辐射效应，获得了总剂量辐射损伤随辐照偏置和器件结构的变化规律及损伤机理。研究结果表明，经过开态（ON）偏置辐照后器件阈值电压正向漂移，而传输态（TG）和关态（OFF）偏置辐照后器件阈值电压负向漂移；鳍数较少的器件阈值电压退化程度较大。通过分析陷阱电荷作用过程，揭示了产生上述试验现象的原因。
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