摘要
利用X-射线光电发射谱和同步辐射共振光电发射谱研究了外延生长的CeO2-x(111)薄膜在Ar离子轰击作用下电子态结构的变化。外延生长的CeO2-x(111)薄膜与文献报道的完全氧化的二氧化铈薄膜一致,Ar离子轰击诱导了氧化态CeO2-x薄膜电子态结构的变化,导致薄膜表面部分Ce4+被还原成Ce3+。当光子能量在Ce4d→4f激发阈值范围内,共振光电发射谱能清晰的分辨出Ce4f能级电子对价带谱的贡献。还原态CeO2-x(111)薄膜的共振光电发射谱分别在121.5和124.5eV光子能量入射时出现了激发极值。121.5eV光子能量激发了Ce3+的Ce4f1能级中电子的共振发射,而124.5eV...
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