256×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究

作者：韩冰; 吕衍秋; 吴小利; 李雪; 龚海梅

来源：激光与红外, 2006, 36(11): 1032-1035.

DOI：10.3969/j.issn.1001-5078.2006.11.008

• InGaAs
• 焦平面阵列
• 硫化
• 聚酰亚胺
• 分子束外延

利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过台面制作、硫化后覆盖聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制作了台面构造的256×1正照射InGaAs探测器阵列。测试了器件的I-V特性与响应光谱,得出器件的暗电流Id、零偏压电阻R0、G因子;通过信号和噪声的测试,计算出了在278K时的平均峰值探测率为1.33×1012cmHz1/2W-1。256元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后成功制备256×1线列InGaAs短波红外焦平面,在室温(300K)时测得256元响应信号,其响应不均匀性为19.3%。

• 单位
  传感技术国家重点实验室; 中国科学院研究生院; 中国科学院上海技术物理研究所