一种新型降低GIDL的纳米线环栅场效应晶体管

作者：唐雅欣; 孙亚宾; 李小进; 石艳玲

来源：微电子学, 2020, 50(06): 894-898.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190695

• 沟道介质环
• 栅致漏极泄漏电流
• 纵向带间隧穿
• 环栅晶体管

提出了一种可以有效降低环栅晶体管栅致漏极泄漏(GIDL)的新型非对称沟道介质环场效应环栅(GAA)晶体管。位于漏端附近的沟道介质环结构可有效降低载流子沿沟道方向的带间隧穿几率,从而显著改善环栅器件在关态时的栅致漏极泄漏电流情况。3D TCAD仿真结果表明,与具有真空侧墙或者一般氧化物侧墙的常规环栅器件相比,新型非对称沟道介质环晶体管静态漏电明显降低,开关比提高;栅围寄生电容、最大振荡频率(fMAX)和截止频率(fT)未受明显影响。沟道介质环厚度的增加会线性减小器件的关态电流和开态电流,但会提高器件的开关比。

• 单位
  华东师范大学; 电子工程学院