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摘要
铌酸锂的抛光机理复杂，抛光片的损伤层受多种因素的影响，其机械损伤来源主要有两个途径，其一是晶片在抛光前各道工序加工中引入的损伤，这可以通过增加抛光去除量加以控制，其二是在抛光过程中带来的机械损伤，抛光液的组分、pH值、抛光布、抛光压力、抛光盘转速等条件都与损伤层有直接的关系。这些参数都是通过改变抛光过程中机械作用和化学作用的平衡来影响损伤层，因此控制抛光过程中二者的平衡才是控制损伤的关键。
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单位中国电子科技集团公司第四十六研究所
