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摘要
采用常压化学气相沉积法（CVD）在铜箔表面制备石墨烯薄膜,并对生长石墨烯的铜箔进行不同条件的退火处理,研究经不同热处理后铜箔对相同条件下生长石墨烯导电性能的影响。实验结果用光学显微镜（OM）、背散射电子衍射（EBSD）、四探针方阻测试仪表征铜箔晶粒尺寸、铜（111）晶向的比例及石墨烯导电性。结果表明石墨烯其方阻值随着铜箔晶粒变大、表面晶粒位相转向（111）,大体呈现下降趋势。但上述结构参量对石墨烯方阻性能的贡献有待深入研究。
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单位华南理工大学; 材料科学与工程学院; 广州今泰科技股份有限公司
