不同基底对电沉积制备ZnO纳米棒薄膜光电转换性能的影响

作者：穆晓彪; 卢辉^*; 马金福; 杨少林; 彭古玥; 李林; 樊辉; 宁晓杰

来源：人工晶体学报, 2019, 48(03): 450-456.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.03.013

• 不同导电基底
• 电沉积
• ZnO
• 纳米棒薄膜
• 光电转换性能

选取不同的导电支撑物(FTO、ITO、不锈钢网、Ni网)作为基底,在其表面采用相同的电沉积参数制备得到ZnO纳米棒薄膜,详细探讨了不同基底物理化学性质对ZnO基光阳极形貌及光电性能的影响。研究表明:以Zn Cl2与O2为前驱体,分别在未做预处理的空白FTO、ITO、Ni网、不锈钢网上施加-1.0 V的沉积电位,反应3600 s后均可得到棒状结构的ZnO纳米薄膜,但纳米棒的直径、密度以及结晶性相差较大。经紫外漫反射测试发现,虽然各基底上ZnO纳米薄膜对太阳光的响应范围相一致,但玻璃基底相较于柔性金属网基底具有较小的禁带宽度,电子跃迁所需能量较小。此外,I-V测试结果表明基于玻璃基底的ZnO基DSSC相较于柔性金属丝网基光阳极具有较大的光电转化效率,最高可达0.38%。

• 单位
  北方民族大学