摘要
ZnO宽禁带半导体薄膜材料在透明导电薄膜、紫外光探测器、光电子器件、透明薄膜晶体管、表面声波器件、传感器等领域有着潜在应用,成为21世纪备受瞩目的材料体系,具有重大的科学研究价值和广阔的产业化应用前景。由于生长方法的局限严重阻碍了ZnO宽禁带半导体材料的科学研究和产业应用进程。MOCVD技术制备的ZnO外延生长技术,成膜快速、大面积、均匀、质量高、符合产业化的发展要求。且成膜质量高、容易对掺杂进行控制,对于研究ZnO的电输运特性、杂质行为等物理机理,解决
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单位中山大学; 光电材料与技术国家重点实验室