p型金属氧化物电流阻挡层Ga-2O-3垂直金属氧化物半导体场效应晶体管

作者：张春福; 黄钰文; 陈大正; 许育; 张进成; 郝跃

来源：2021-06-22, 中国, ZL202110690729.6.

本发明公开了一种p型金属氧化物电流阻挡层Ga-2O-3垂直金属氧化物半导体场效应晶体管,主要解决现有技术无法形成pn结,导致击穿电压低的问题。其自下而上包括：漏极(1)、氧化镓衬底(2)、氧化镓漂移层(3)、氧化镓沟道层(4)、栅介质层(5)、栅极(6),该氧化镓漂移层(3)的两侧设置有电流阻挡层(7)、中间设置有电流孔径(8),氧化镓沟道层(4)和栅介质层(5)的两侧设置有源极(9),该电流阻挡层(7)采用掺杂有硼元素的p型金属氧化物材料,且分别与氧化镓漂移层(3)和氧化镓沟道层(4)形成两个异质结。本发明大幅度提升了器件的击穿电压,可应用于工业电力以及汽车电力系统的大功率器件。

• 单位
  西安电子科技大学