静电场诱导光刻技术实现曲面光栅结构的制备

作者：李和福^*; 赵楠; 田存伟; 冯振豹; 于会山; 王文军

来源：聊城大学学报(自然科学版), 2018, 31(04): 52-57.

DOI：10.19728/j.issn1672-6634.2018.04.010

• 软光刻技术
• 静电场诱导光刻技术
• 光栅结构
• 大高宽比
• 曲面基底

利用软光刻技术在凸面基底上制备了光栅结构.以此凸面基底上制备的光栅结构作为模板,利用静电场诱导光刻技术实现了凹面基底上光栅结构的制备.光栅模板结构的高度为5.3μm,线宽是6.25μm,高宽比达到0.85∶1.诱导成形光栅结构的高度为42μm,线宽是13.35μm,高宽比高于3∶1.结果表明借助静电场诱导光刻技术可以在曲面基底上利用小高宽比的微结构模板制备出大高宽比的微结构.

• 单位
  聊城大学