分子束外延生长过程中GaAs(001)表面铝液滴的扩散成核过程

作者：蒋冲; 王一; 丁召; 黄延彬; 罗子江; 李志宏; 李耳士; 郭祥^*

来源：人工晶体学报, 2021, 50(02): 283-289.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2021.02.009

• 成核生长
• 团簇的扩散动力学
• Ⅲ-Ⅴ族半导体
• 分子束外延
• 衬底温度
• 沉积速率
• 铝液滴

量子点的性质主要由其密度及尺寸参数控制,而原子在衬底上的成核运动又决定了量子点的密度、直径、高度等参数,因此研究原子的扩散成核过程对自组装制备量子点具有重要意义。本文通过分子束外延生长技术研究了GaAs(001)表面金属铝液滴的成核过程,发现衬底温度和金属铝沉积速率的变化直接影响了液滴的尺寸、密度以及形状等特征。根据经典成核理论分析GaAs(001)表面金属铝液滴空间分布与几何结构的演化规律,推导得出表面金属铝液滴密度与衬底温度、金属铝沉积速率的关系方程。在此基础上,进一步计算得出液滴形成过程中未成核态、临界成核态、成核态三种亚稳态所包含的最小原子数分别为1个、2个、5个。

• 单位
  贵州财经大学; 贵州大学