基于GaN的输入谐波控制射频功率放大器设计

作者：邵煜伟; 陶洪琪

来源：电子技术应用, 2021, 47(04): 67-76.

DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.201247

• 功率放大器
• 输入谐波控制
• 高效率
• MMIC

定量地分析了输入谐波控制理论对功放效率的影响。同时,选用了南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT器件,并对该GaN HEMT器件进行了负载牵引仿真和大信号仿真。根据仿真结果发现,通过输入谐波控制可以提升射频功率放大器的效率,在频带内能获得3～10%的效率提升。以此设计了一款X波段单级MMIC功放。经测试,该功放芯片在9.2～11.3 GHz范围内功率附加效率最大可以达到52.88%。