高压大功率管用硅外延片需求日益增加,但其裂片比例高,增加了生产成本。根据裂片特征现象,分析了厚层外延裂片的主要影响因素是热应力。从生长速率、生长温度、外延温场等方面研究对热应力的影响。一定范围内降低生长速率、提高生长温度可以改善裂片,但改善程度有限。通过离子注入片显示在基座片坑边缘存在温度梯度。通过改善热滑片和传输装置优化,使硅片在片坑中心区域外延,可以避免片坑中心与边缘温度梯度影响,提高外延温场一致性,显著减少了热应力,裂片比例有了大幅降低。
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