摘要
硫化锑(Sb2S3)的用途主要局限在储能和光电转换领域,而在本工作中, Sb2S3被首次拓展到电磁波吸收领域.高介电常数的Sb2S3单晶纳米棒表现出了-65.9 dB的反射损耗(13.0 GHz, 3.8 mm),以及可达9.5 GHz (8.5–18.0 GHz, 4.1 mm)的超宽有效吸收带宽.在排除了常见的吸收机制,例如导电损耗、界面损耗和偶极子损耗之后,我们提出了一种独特的形状各向异性影响下的单晶体极化机制(SCVP).该工作不仅突破了单组份介电吸波材料设计这一挑战,也为构建高效介电吸波材料提供了新的方法和思路.
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单位晶体材料国家重点实验室