基于漏电流补偿技术的超低漏电模拟开关

作者：唐毓尚; 王瑶; 刘俊; 李平^*

来源：电子与封装, 2022, 22(12): 67-70.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1212

• 模拟开关
• CMOS
• 漏电流补偿技术
• 信号采集系统
• PN结漏电

为满足各种现代设备控制系统的超高精度信号采集需求，基于新型PN结漏电补偿技术设计了一种超低漏电模拟开关电路。该电路在传统CMOS模拟开关的基础上创新性地引入了新型全温区PN漏电采样和补偿电路，对CMOS模拟开关输入、输出漏电流进行全温区漏电补偿，大幅降低了输入、输出端口漏电流，实现亚纳安级端口漏电流。基于40 V高压CMOS工艺进行电路设计和仿真验证，实测结果显示，在-55～125℃，输入、输出端口漏电流不大于0.75 nA，温漂约为6 pA/℃。