典型阴离子杂质对KDP晶体电导特性的影响

作者：丁建旭; 张建芹; 王圣来; 牟晓明; 许心光; 顾庆天; 孙云; 刘文洁; 刘光霞

来源：人工晶体学报, 2010, (05): 1089-1093.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2010.05.016

• KDP
• 电导率
• 晶体缺陷
• 掺杂 KDP
• electrical conductivity
• crystal defects
• doping

针对KDP晶体生长过程中常出现的SO24-,NO3-和Cl-杂质,采用传统法和快速法掺杂生长了一系列KDP晶体,研究了不同阴离子杂质掺杂对KDP晶体X和Z向的电导率的影响。结果表明,X向的电导率比Z向电导率高;未掺杂时,快速生长的KDP晶体比传统法生长的KDP晶体具有更高的电导率;SO42-的掺杂增大了晶体在两个方向的电导率,且随着掺杂浓度的增加,晶体的电导率也相应增大;NO3-和Cl-对KDP晶体的电导率影响不大。分析认为,快速生长的KDP晶体具有更高的缺陷浓度,从而增大了晶体的电导率;SO42-具有与PO34-结构的相似性,从而能够取代部分PO43-进入晶格,从而产生H+空位。H+空位的定...

• 单位
  山东大学; 中国兵器工业集团第53研究所; 晶体材料国家重点实验室