碳化硅光栅结构中的强吸收及热辐射调控

作者：鲍森; 王宗缇; 郑改革^*

来源：光散射学报, 2021, 33(01): 79-83.

DOI：10.13883/j.issn1004-5929.202101011

• 碳化硅
• 表面声子共振
• 光栅

基于严格耦合波分析(RCWA)方法研究了红外光波与碳化硅(SiC)光栅结构间的相互作用,尤其是结构在10微米到14微米波段的吸收及热辐射特性。计算得到了光栅的吸收/发射谱,验证了表面声子共振的激发,分析了光栅周期、光栅深度、占空比和入射角度对吸收特性的影响。在横磁(TM)波入射下,光栅周期及深度的增加均导致吸收峰/发射峰的红移;占空比对辐射性能也会产生较大的影响,改变占空比,在光栅全反带出现了吸收峰,还影响着吸收峰位置及幅值;入射角度变大时,吸收谱/发射谱峰值呈现减小势态。本文的研究结果可以拓展到其它极化晶体材料中。

• 单位
  上海科技大学; 电子工程学院; 南京信息工程大学; 南京晓庄学院