锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟

作者：张晋新; 郭红霞; 文林; 郭旗; 崔江维; 范雪; 肖尧; 席善斌; 王信; 邓伟

来源：强激光与粒子束, 2013, (09): 2433-2438.

• 锗硅异质结双极晶体管
• 单粒子效应
• 激光微束
• 电荷收集 SiGe heterojunction bipolar transistors
• single-event effect
• laser microbeam
• charge collection

对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入...

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学; 西北核技术研究所; 中国科学院大学; 中国科学院新疆理化技术研究所