一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及其制备方法

作者:张勇; 冯涛; 史英迪; 汤凯; 秦永强; 舒霞; 崔接武; 王岩; 吴玉程
来源:2019-08-29, 中国, ZL201910808634.2.

摘要

本发明提供了一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及应用、全固态锂金属电池及其制备方法,属于电池材料领域。本发明提供的缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜的导锂通道从单一的LAGP陶瓷导锂转向聚合物与LAGP双向同时导锂,提升了锂离子扩散速率,减少了电解质与锂金属的副反应,稳定锂金属与电解质界面反应,防止枝晶生长连接正负极造成短路,防止锂枝晶刺穿隔膜引起短路,提升了电池的容量保持效率,延长了电池的循环寿命,且在不同使用温度下仍能保持稳定的性能,同时,缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜的厚度可依照需求调节。