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摘要
本发明涉及一种垂直型光电探测器的制备方法,包括：S1：选取衬底；S2：在所述衬底上生长底电极层；S3：在所述底电极层上生长二硫化钼层；S4：在所述二硫化钼层上生长杂化钙钛矿层；S5：在所述杂化钙钛矿层上生长顶电极。本发明可以使光电探测器二维材料沟道的背景载流子的完全耗尽,显著降低了器件暗电流,提高器件在弱光下的探测性能；制备工艺简单,生产成本低,无需昂贵的仪器设备等优点；制备的光电探测器可在零栅压、低源漏偏压下工作,具有优异的低功耗特性,且结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长。
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