退火温度对新型有源层WZTO薄膜晶体管性能的影响

作者：杨祥; 徐兵; 周畅; 张建华; 李喜峰^*

来源：发光学报, 2019, 40(02): 209-214.

• 退火温度
• 溶液法
• 薄膜晶体管
• WSnZnO

通过溶液法制备了新型有源层钨锌锡氧化物(WZTO)薄膜晶体管(TFT),研究了不同退火温度对WZTO薄膜和TFT器件性能的影响。XRD结果表明即使退火温度达到500℃,WZTO薄膜仍为非晶态结构。W掺杂显著降低了薄膜表面粗糙度,其粗糙度均从0. 9 nm降低到0. 5 nm以下;但不影响薄膜可见光透过率,其透过率均大于85%。同时XPS分析证实随退火温度升高,WZTO薄膜中对应氧空位的峰增加。制备的WZTO器件阈值电压由8. 04 V降至3. 48 V,载流子迁移率随着退火温度的升高而增大,开关电流比达到107。

• 单位
  上海大学