适用于3D NAND的高稳定度的Capacitor-free LDO

作者：万金梅; 刘飞; 曾子玉; 霍宗亮

来源：现代电子技术, 2019, 42(24): 42-45.

DOI：10.16652/j.issn.1004-373x.2019.24.010

• LDO
• 米勒补偿
• 3D NAND
• 电路设计
• 仿真实验
• 稳定性分析

文中设计一种应用于3D NAND的无片外补偿电容的LDO,该电路在传统嵌套米勒补偿的基础上,增加"gm减小电路"和"轻重载控制电路",实现在空载(电流负载为零)且有大负载电容条件下的稳定。此设计应用YMTC 0.18μm工艺实现,仿真结果显示,在2.5～3.6 V电源供电下,整个电路消耗的静态电流为50μA,总补偿电容为7 pF,电路稳定的时间小于6μs,输出线性调整率小于2.2 mV/V,负载调整率小于0.9 mV/mA。

• 单位
  长江存储科技有限责任公司; 中国科学院大学