摘要
为了满足高能射线成像对闪烁陶瓷的应用要求,并探究Eu3+掺杂量对陶瓷微观结构和光学性能的影响,采用液相共沉淀法合成了不同Eu3+掺杂量的EuxLu1.4–xGd0.6O3(x=0、0.02、0.06、0.10、0.14、0.18)粉体并通过真空预烧结合热等静压烧结,制备出EuxLu1.4–xGd0.6O3透明陶瓷。随着Eu3+掺杂量的增加,陶瓷直线透过率先升高后降低,在x=0.10时达到最高(71.4%@611 nm)。EuxLu1.4–xGd0.6O3陶瓷的光致激发光谱和光致发光光谱证明了Eu3+掺杂量的增加能够提升陶瓷的吸收峰和发射峰强度。陶瓷在X射线激发下的发光强度随着Eu3+掺杂量的升高呈现先升高后降低的趋势,在Eu3+掺杂量(摩尔分数)为3%时达到最高。EuxLu1.4–xGd0.6O3陶瓷在可见光和X射线激发下都呈现强烈的红光发射,与硅光电二极管光谱响应有着良好的耦合性。
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