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摘要
(中国科学院微电子研究所,北京100029)摘要:在SMIC0·18μmCMOS工艺下实现了一种工作在0·6~1·5V下的基准源.分别采用环路增益法和返回比法对其中的自偏置放大器和核心电路的环路特性进行了分析.芯片输出的基准电压为0·4V,工作电流为4·8μA,在-40~120℃范围内温度系数小于80ppm/℃,面积(不包括PAD)为0·045mm2.
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(中国科学院微电子研究所,北京100029)摘要:在SMIC0·18μmCMOS工艺下实现了一种工作在0·6~1·5V下的基准源.分别采用环路增益法和返回比法对其中的自偏置放大器和核心电路的环路特性进行了分析.芯片输出的基准电压为0·4V,工作电流为4·8μA,在-40~120℃范围内温度系数小于80ppm/℃,面积(不包括PAD)为0·045mm2.
