基于超临界CO-2处理的Ga-2O-3金属氧化物半导体场效应管及制备方法

作者：冯倩; 蔡云匆; 王正兴; 田旭升; 张春福; 周弘; 张进成

来源：2021-07-14, 中国, ZL202110803580.8.

本发明公开了一种基于超临界CO-2处理的Ga-2O-3MOSFET器件及制作方法,主要解决现有器件漏电流和亚阈值摆幅大的问题。其技术特征是：将现有Ga-2O-3MOSFET器件结构中的绝缘栅介质层,采用SiO-2、Al-2O-3、HfO-2和ZrO-2中的一种或多种,并对制备完成后的器件进行超临界二氧化碳处理,即将器件置于超临界设备腔室,向室内放入去离子水或异丙醇,密封后再充入CO-2,并将设备升温至118-122℃,升压至19-21Mpa,保持超临界状态1-2h,再将设备温度降至室温,压强降至大气压后取出器件。本发明减小了漏电流和亚阈值摆幅、增大了载流子迁移率,提高了稳定性,可用于制作高性能的Ga-2O-3器件。

• 单位
  西安电子科技大学