摘要

目的了解精神分裂症患者药物治疗前后事件相关电位(ERP)的变化。方法对64例诊断符合ICD-10标准的精神分裂症患者药物治疗前进行ERP检查,经药物治疗症状缓解后再进行一次检查,比较治疗前后ERP变化,并与35名健康对照组比较。结果精神分裂症患者失匹配负波(MMN)潜伏期延迟大于健康对照组(t=4.8-4.9,P=0.000),信息综合(N2)、认知形成(P300)潜伏期延长大于健康对照组(t=3.73-6.63和t=7.25-14.76,P<0.05和P<0.001)。缓解期p300潜伏期延长小于治疗前(t=4.25-5.15,P=0.000)和仍大于健康对照组(t=5.32-8.60,P=0.000),N2治疗前后差异无统计学意义(t=0.21,1.89,P>0.05);MMN治疗后与治疗前差异无统计学意义(t=1.55,1.91,P>0.05)和仍大于健康对照组(t=4.84,4.93,P=0.000)。缓解期顶部电极N2与p300潜伏期延长呈具有统计学意义正相关(r=0.264-0.366,P<0.05,0.01)。结论精神分裂症患者存在失匹配负波潜伏期延迟,信息综合潜伏期延长,认知形成过程潜伏期延长;经抗精神病药物治疗症状缓解后,认知形成有较明显改善,但与健康人群仍有较大差距;负性情绪、信息综合能力无明显改善。信息综合潜伏期延长程度对疗效具有一定预测效应。