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摘要
利用Silvaco TCAD软件，研究了电离总剂量(total ionizing dose, TID)效应对28 nm NMOSFET转移特性的影响。构建了28 nm NMOSFET 3维仿真模型，分3种情况探究了TID效应影响下，场氧化层和栅氧化层对NMOSFET的阈值电压、漏电流和跨导的影响。仿真结果表明，在TID效应影响下，28 nm NMOSFET场氧化层对器件阈值电压、漏电流和跨导的影响都明显大于栅氧化层，随着器件尺寸的减小，场氧化层在TID效应中对NMOSFET电学特性的影响较大。仿真结果为进一步探究NMOSFET的TID效应提供了参考。
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单位西安电子科技大学; 机电工程学院
