本发明涉及一种嵌入式电极结构LED的退火方法。该方法包括：待退火的LED半成品按照标准嵌入式电极结构LED制程完成n电极制备截止；将待退火的LED半成品放入激光微加工设备中,利用激光微加工设备的光学显微镜和辅助光源进行观察与n电极孔图案识别与定位；根据识别的n电极图案,通过程序设定的方式实现激光在n电极孔间扫描照射,对n电极孔的‘选区退火’,完成嵌入式电极结构LED的退火。该方法既能实现n接触区的退火,又不影响p面的反射率和接触特性。
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