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摘要
本发明公开了一种高线性度低噪声放大器电路,主要解决现有技术线性度较差的问题。其包括：第一级放大电路A1、第二级放大电路A2,两级电路之间采用电容C1耦合。第一级放大电路A1主要由两个NPN双极型晶体管Q1、Q2构成的共射共基结构以及第一负载阻抗网络Z1和第一偏置电阻R1组成,第二级放大电路A2主要由两个NMOS管M1、M2构成的共源共栅结构以及第二负载阻抗网络Z2和第二偏置电阻R2组成。本发明与传统的双极型晶体管级联结构低噪声放大器相比,由于级联电路结构不同所产生的三阶非线性项大小不同,可获得更高的输入三阶截取点,有效改善了低噪声放大器的线性度,可用于无线通信接收机前端芯片中。
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