晶化温度与砷压对Ga在GaAs(001)表面扩散限制的研究

作者：王一; 丁召; 杨晨; 罗子江; 王继红; 李军丽; 郭祥^*

来源：功能材料, 2021, 52(11): 11017-11022.

• Ga液滴
• 液滴外延
• 量子环
• 分子束外延

采用液滴外延技术在平坦GaAs(001)表面上制备GaAs纳米环结构。利用原子力显微镜对其表面形貌进行表征,发现在As压保护下金属Ga液滴晶化过程中,液滴内Ga原子存在向外迁移和向下刻蚀两种扩散行为,且扩散行为均受到衬底温度和As压力大小的影响。其中As压主要影响Ga原子在表面横向扩散,而衬底温度主要影响Ga原子在纵向刻蚀扩散。根据量子环结构形貌演变趋势分析了圆盘半径ΔR、Rp与沉积量的关系,得出形成扩散盘的Ga临界沉积量为10 mL,并总结出采用降温结晶方式制备GaAs同心量子环的工艺方法。

• 单位
  贵州大学; 贵州财经大学