旋涂法制备氧化锆介质层及其在薄膜晶体管中的应用

作者：钟云肖; 周尚雄; 姚日晖; 蔡炜; 朱镇南; 魏靖林; 徐海涛; 宁洪龙; 彭俊彪

来源：发光学报, 2018, 39(02): 214-219.

• 氧化锆薄膜
• 溶液法
• 旋涂转速
• 退火温度

采用旋涂法制备了氧化锆介质层薄膜,重点讨论了退火温度以及旋涂转速对薄膜性能的影响及作用机制。研究发现高温后退火一方面使得氧化锆水合物脱水形成氧化锆,另一方面促使氧化锆薄膜结晶。此外,转速较高时,其变化对薄膜厚度及粗糙度无显著影响。当转速为5 000 r/min、退火温度为300℃时,制备的绝缘层厚度具有良好的厚度均匀性,粗糙度为0.7 nm,漏电流为3.13×10-5A/cm2(电场强度1 MV/cm)。最终,利用Zr O2薄膜作为栅极绝缘层,在玻璃基板上制备了铟镓锌氧化物-薄膜晶体管(IGZO-TFT),其迁移率为6.5 cm2/(V·s),开关比为2×104。

• 单位
  华南农业大学; 华南理工大学; 电子工程学院