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摘要
本发明涉及湿法刻蚀技术领域,公开了一种用于氧化物半导体薄膜的湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法,用于氧化物半导体薄膜的湿法刻蚀设备包括：人工上片工位,蚀刻液喷涂工位,反应工位,清洗工位,风干工位,取料工位,空盘回收工位和输送装置。ZnO片放在人工上片工位的工装盘后,依次经过蚀刻液喷涂工位,反应工位,清洗工位,风干工位,取料工位,取料后空的工装盘由空盘回收工位输送至人工上片工位供下次使用。此外,本发明还提供了一种湿法刻蚀方法。采用本发明技术方案,可以有效的缓解ZnO薄膜的侧向腐蚀问题,提高了产品生产的合格率和蚀刻液的利用率,可适用于大规模批量连续生产。
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