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摘要
采用化学气相沉积法制备三维拓扑绝缘体Bi2Se3纳米片,对其进行详细的表征并研究样品的圆偏振光致电流.在1 064 nm圆偏振激光激发下,Bi2Se3纳米片的圆偏振光致电流强度随着入射角的增大而逐渐增大.研究发现,圆偏振光电流强度随着温度的降低先增大后减小,这与动量弛豫时间及电子空穴复合率相关.此外,通过外加离子液体栅压调控Bi2Se3纳米片的圆偏振光致电流,其强度随着外加偏压的增大而减小,这是由于所测得的圆偏振光致电流由拓扑绝缘体Bi2Se3表面信号与二维电子气信号叠加形成,且二者方向相反导致.
